nmos开关电路 控制电压18V

CMOS开关Ron与vI的关系如图2所示为了消除NMOSFET的衬底调制效应对Ron的不良影响，通常在CMOS开关原理电路基础上增设辅助电路如图3所示CMOS开关电路 中，增加了非门PI2和T3~T5当vc=“1”时，因非门PI1PI2倒相，T5截止，vI经T3T4加到T1衬底B1上，同时，vI又直接加到T1的源极S1上，于是vBS1。

另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变后面一个推挽电路，然后给MOS。

MOS管也是三端压控元件，三端分别是GDS，可以等效于普通三极管的BCE三极，VGS的电压=VGVS控制Mos 开关状态当VGS大于Von开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为2~4V时就使得Mos打开，D S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D。

你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自带软开启功能的MOS管电源开关电路。

pmos p沟道MOS管 nmos n沟道MOS管 mos管是电压型控制器件，对电流几乎没有要求，一般用来做开关，和三极管相比功耗和速度都要好。

1 这个电路采用是NMOS管，如果COP是高组态，那么为什么A点处是高电平，那个Rcop上拉电阻如果达到1M，那么A处还是高电平吗 答正是由于Rcop所以COP是高组态时处是高电平即便Rcop阻值高达10MA处还会是高电平，只是阻值太高容易引入干扰，所以取几K的阻值就好2 图中标识的放电用FET，我大概。

对于IO控制电源，MOS管如NMOS低阻导通和PMOS高阻截止扮演重要角色如AO3401这样的MOS管示例，其导通压降会影响阻抗，设计师需精细考虑这些参数在工程实例中，通过IO管脚管理电源切换，如两只3401 MOS管，通过电源管理电路巧妙地实现J5电压变化时的Q200和Q201导通控制，务必注意管脚极性电路设计中。