当前位置:首页 > 公司介绍 > 正文

pmos管经典开关电路

当开关打开的时候,信号从MOS的源端流向漏端所谓CMOS,既互补MOS,就是说两种MOS极性相反的MOS,一种是高电压开启,一种是低电压开启这样就可以进行逻辑运算了比如简单的非运算将低电压有效的PMOS和高电压有效的NMOS串联将这个串联的节点作为输出PMOS的上面接电源,NMOS的下面接地,两个MOS。

二是降低开关频率由压控所导致的的开关特性由于制作工艺的限制,NMOS的使用场景要远比PMOS广泛,因此在将更适合于高端驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题在宽电压的应用场景中,栅极的控制电压很多时候是不确定的,为了保证MOS管的安全工作,很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压;这是一个控制电源通断的电路AO3401是增强型PMOS,简单来说,当Vgs即Q7的12间电压有一个负压时,Q7就会导通,对于AO3401来讲,完全开通电压大约为10V,但33V也可以基本导通,只是阻抗略大大约100毫欧,具体不同Vgs电压下导通阻抗可以查阅AO3401手册对于图中电路,当CMMB_PWRON大于等于3;无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快;无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快MOS管的内部结构如下其。

NMOS导通需要gs有一个正压,导通时,必须通过自举电容来获取gs的正压,pmos导通gs需要一个负压,即G端电压要小于s端电压,这样ic实现起来就很方便了,不用之举电容但是pmos没有nmos流行的原因是,pmos导通压降大,效率低,Pmos的同态电阻比NMOS大,输入电压低,而且还有成本问题,所以开关电源主开关管。

看你是用来控制什么的nmos管是栅极高电平通,低电平断,可以用来控制地的通断 pmos管是栅极低电平通,高电平断,可以用来控制电的通断 下图是控制mos管通断的一个例子单片机引脚给出高电平时,mos管导通,mos管的2脚有电压输出 当给出低电平时,mos管断开,无电压输出;MOS开关有cmos pmos nmos rcmos rpmos rnmos 这类门用来为单向开关建模即数据从输入流向输出,并且可以通过设置合适的控制输入关闭数据流pmosp类型MOS管nmosn类型MOS管,rnmosr代表电阻和rpmos开关有一个输出一个输入和一个控制输入实例的基本语法如下gate_typeinstance_name。

相关文章:

发表评论

◎欢迎参与讨论,请在这里发表您的看法、交流您的观点。